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BCP55	文件：1.36931 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCP51 ... BCP53 (PNP) 文件：1.36931 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BCP55	文件：38.98 Kbytes Page：2 Pages	NPN Medium Power Transistor ■ Features ● For AF driver and output stages ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary to BCP51,BCP52,BCP53 文件：38.98 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCP55	文件：489.81 Kbytes Page：2 Pages	1A , 60V NPN Silicon Medium Power Transistor FEATURES • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage 文件：489.81 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BCP55	文件：945.09 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：945.09 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCP55	文件：1.00096 Mbytes Page：4 Pages	For AF driver and output stages 文件：1.00096 Mbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
BCP55	文件：108.22 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors 文件：108.22 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BCP55	文件：530.52 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon AF Transistors 文件：530.52 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP55	文件：533.22 Kbytes Page：5 Pages	For AF driver and output stages 文件：533.22 Kbytes 页数：5 Pages	FS	FS
BCP55-Q	文件：247.94 Kbytes Page：12 Pages	丝印：BCP55；Package：SC-73；60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High current • Three current gain selections • High power dissipation capability • Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications 文件：247.94 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP55_SER	文件：247.82 Kbytes Page：12 Pages	60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High current • Three current gain selections • High power dissipation capability 文件：247.82 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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晶体管资料

型号：
BCP55
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β=250
图片代号：
H-99
vtest：
60
htest：
130000000
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP55
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN 60V 1.5A SOT223-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCP55供应商更新时间2026-4-17 18:03:00

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