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BCP55	文件：247.82 Kbytes Page：12 Pages	丝印：BCP55；Package：SC-73；60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High current • Three current gain selections • High power dissipation capability 文件：247.82 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP55	文件：1.98381 Mbytes Page：22 Pages	丝印：BCP55；Package：SC-73；60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits  High current  Three current gain selections  High power dissipation capability  Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)  Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)  AEC-Q101 qualified 文件：1.98381 Mbytes 页数：22 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP55	文件：1.74331 Mbytes Page：22 Pages	60 V, 1 A PNP medium power transistors Features and benefits  High current  Three current gain selections  High power dissipation capability  Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)  Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)  AEC-Q101 qualified 文件：1.74331 Mbytes 页数：22 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP55	文件：255.09 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCP51...BCP53 (PNP) 文件：255.09 Kbytes 页数：3 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
BCP55	文件：594.73 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES e For AF driver and output stages e High collector current e Low collector-emitter saturation voltage eo Complementary types: BCP51 ... BCP53 (PNP) 文件：594.73 Kbytes 页数：3 Pages	FUXINSEMI 富芯森美	FUXINSEMI
BCP55	文件：131.42 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) ●For AF driver and output stages ●High collector current ●Low collector-emitter saturation voltage ●Complementary types: BCP 51 … BCP 53 (PNP) 文件：131.42 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCP55	文件：71.84 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER AMPLIFIER MEDIUM POWER AMPLIFIER ■ SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORS ■ MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITS ■ GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER OUTPUT STAGE ■ 文件：71.84 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BCP55	文件：1.81542 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCP51 ... BCP53 (PNP) 文件：1.81542 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BCP55	文件：1.18148 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCP51 ... BCP53 (PNP) 文件：1.18148 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BCP55	文件：186.21 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCP51 ... BCP53 (PNP) 文件：186.21 Kbytes 页数：3 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

晶体管资料

型号：
BCP55
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β=250
图片代号：
H-99
vtest：
60
htest：
130000000
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP55
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN 60V 1.5A SOT223-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCP55供应商更新时间2026-4-17 16:08:00

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