BCP55-Q分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BCP55-Q |
| 参数属性 | BCP55-Q 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 60V 1A SOT223 |
| 功能描述 | 60 V, 1 A NPN medium power transistors |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SC-73 / TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
247.94 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-28 18:48:00 |
| 人工找货 | BCP55-Q价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BCP55-Q规格书详情
Features and benefits
• High current
• Three current gain selections
• High power dissipation capability
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
产品属性
- 产品编号：
BCP55-QX
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101, BCP55-Q
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
63 @ 150mA，2V
- 频率 - 跃迁：
180MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223
- 描述：
TRANS NPN 60V 1A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
19+ |
SOT-223 |
42000 |
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DIODES |
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SOT-223 |
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SOT-223 |
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SMD |
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