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BCP55-16	文件：1.70594 Mbytes Page：5 Pages	丝印：BCP55-16；Package：SOT223；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Features High Collector Current Low Collector-emitter Saturation Voltage 文件：1.70594 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BCP55-16	文件：43.44 Kbytes Page：8 Pages	NPN medium power transistors DESCRIPTION NPN medium power transistor in a SOT223 plastic package. PNP complements: BCP51, BCP52 and BCP53. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Switching. 文件：43.44 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BCP55-16	文件：48.04 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCP51 ... BCP53 (PNP) 文件：48.04 Kbytes 页数：5 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCP55-16	文件：827.56 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCP51...BCP53 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：827.56 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCP55-16	文件：489.81 Kbytes Page：2 Pages	1A , 60V NPN Silicon Medium Power Transistor FEATURES • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage 文件：489.81 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BCP55-16	文件：131.42 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) ●For AF driver and output stages ●High collector current ●Low collector-emitter saturation voltage ●Complementary types: BCP 51 … BCP 53 (PNP) 文件：131.42 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCP55-16	文件：1.98381 Mbytes Page：22 Pages	丝印：BCP55/16；Package：SOT223；60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits  High current  Three current gain selections  High power dissipation capability  Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)  Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)  AEC-Q101 qualified 文件：1.98381 Mbytes 页数：22 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP55-16	文件：480.43 Kbytes Page：5 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors 文件：480.43 Kbytes 页数：5 Pages	MCC	MCC
BCP55-16	文件：530.52 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon AF Transistors 文件：530.52 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
TPBCP55-16	文件：1.70685 Mbytes Page：5 Pages	丝印：BCP55-16；Package：SOT223；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Features High Collector Current Low Collector-emitter Saturation Voltage 文件：1.70685 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

技术参数

Polarity ：
NPN (Single)
VCEO max：
60.0V
Ptot max：
2000.0mW
hFE min max：
100.0 250.0
IC max：
1000.0mA
IC ：
1000.0mA
VCE ：
2.0V
VCBO max：
60.0V
VEBO max：
5.0V
ICM max：
1500.0mA
ICBO max：
100.0nA
fT ：
100.0MHz
VCE(sat) max：
0.5V
Mounting ：
SMT
IBM max：
200.0mA
Package ：
P-SOT223-4-10

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更多BCP55-16供应商更新时间2025-11-18 23:00:00

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