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BC858W	文件：249.81 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC858W	文件：885.1 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BC858W	文件：376.64 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeSwitchingandAmplification.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC858W	文件：1.06616 Mbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC858W	文件：236.73 Kbytes Page：11 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC858W-Q	文件：229.32 Kbytes Page：13 Pages	65V,100mAPNPgeneral-purposetransistors 1.Generaldescription PNPgeneral-purposetransistorsinaverysmallSOT323(SC-70),Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. Table1.Productoverview TypenumberPackage NexperiaJEDEC NPNcomplement BC856W-QBC846W-Q BC856AW-QBC846AW-Q BC856BW-QBC846BW-Q BC857W-QBC847W-Q BC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BF858	文件：67.15 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors IntegratedCircuits	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
CH858BPT	文件：166.51 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGE30VoltsCURRENT0.1Ampere	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHT858BWPT	文件：174.96 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT0.1Ampere FEATURE Surfacemountpackage.(SC-70/SOT-323) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION AFinputstagesanddriverapplicationonequipment. *Oth	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CSB858	文件：82.34 Kbytes Page：3 Pages	PNP/NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

详细参数

型号：
BC858CW RF
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor 200mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC858CW RF供应商更新时间2025-5-16 15:13:00

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