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BC858BL3	文件：136.98 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon AF Transistors PNPSiliconAFTransistor •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30hzand15kHz •Complementarytypes:BC846...-BC850...(NPN) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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BC858BL3E6327	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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BC858BL3

文件：136.98 Kbytes

Page：5 Pages

PNP Silicon AF Transistors

PNPSiliconAFTransistor •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30hzand15kHz •Complementarytypes:BC846...-BC850...(NPN) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

BC858BL3

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PNP Silicon AF Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

BC858BL3E6327

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23

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详细参数

型号：
BC858BL3
功能描述：
PNP TRANSISTOR SOT 23
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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更多BC858BL3供应商更新时间2025-5-16 16:08:00

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