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FZT849	文件：39.09 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighCurrent(HighPerformance)Transistor Features ●Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36mΩat5A. ●7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak). ●Verylowsaturationvoltages. ●Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp. ●Ptot=3Watts.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT849	文件：60.52 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTOR FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36mΩat5A 7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak) Verylowsaturationvoltages Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp *Ptot=3Watts	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT849	文件：72.59 Kbytes Page：3 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36mΩat5A 7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak) Verylowsaturationvoltages Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp *Ptot=3Watts	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT849TA	文件：72.59 Kbytes Page：3 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
INA849	文件：1.94382 Mbytes Page：26 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/?숰z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849	文件：3.21241 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/?숰z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849	文件：1.46741 Mbytes Page：28 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithOptionalAttenuatingGain	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849	文件：3.17466 Mbytes Page：33 Pages	INA823Precision,Low-Power,Wide-Supply(2.7-Vto36-V)InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/?숰z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849	文件：3.77433 Mbytes Page：52 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping 1Features •Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor •Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping •Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) •Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) •Lowinputbiascurrent:5nA(typ) •Inputstagenoise	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿国际（香港）有限公司	BC849-CTF	SAMSUNG/三星	2447	NA	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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深圳市科雨电子有限公司	BC849C-TP	MICRO	1809+	SOT-23	16750	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多BC849-CTF供应商更新时间2025-5-18 11:00:00

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