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BC848C-7-F	文件：148.35 Kbytes Page：6 Pages	NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 文件：148.35 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BC848CDW	文件：2.41026 Mbytes Page：15 Pages	丝印：1G；Package：SOT363；NPN Silicon Epitaxial General Purpose Transistors 文件：2.41026 Mbytes 页数：15 Pages	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BC848CDW1	文件：110.48 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：110.48 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDW1T1G	文件：110.48 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：110.48 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDXV6T1	文件：102.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：102.11 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDXV6T1G	文件：102.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：102.11 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDXV6T1G	文件：138.67 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：138.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDXV6T5	文件：102.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：102.11 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDXV6T5G	文件：102.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：102.11 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CLT1G	文件：116.72 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors 文件：116.72 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
BC848C
制造商：
MDD
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
SOT-23
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

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更多BC848C供应商更新时间2025-10-5 14:14:00

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