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BC848CDW中文资料FUTUREWAFER数据手册PDF规格书

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厂商型号

BC848CDW

功能描述

NPN Silicon Epitaxial General Purpose Transistors

丝印标识

1G

封装外壳

SOT363

文件大小

2.41026 Mbytes

页面数量

15

生产厂商

FUTUREWAFER

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 12:27:00

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产品属性

  • 型号:

    BC848CDW

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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