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BC848CDW中文资料FUTUREWAFER数据手册PDF规格书

BC848CDW
厂商型号

BC848CDW

功能描述

NPN Silicon Epitaxial General Purpose Transistors

丝印标识

1G

封装外壳

SOT363

文件大小

2.41026 Mbytes

页面数量

15

生产厂商 FutureWafer Tech Co.,Ltd
企业简称

FUTUREWAFER

中文名称

FutureWafer Tech Co.,Ltd官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 23:06:00

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产品属性

  • 型号:

    BC848CDW

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
只做原装正品
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onsemi(安森美)
24+
SC886(SC706)
7350
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24+
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