| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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5年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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4年
留言
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ON/安森美SOT363 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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8年
留言
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ONSEMI/安森美SOT363 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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1年
留言
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onsemi/安森美SOT-563 |
8000 |
05+ |
全新、原装、深圳、现货 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)SC-88-6(SC-70-6) |
3022 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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17年
留言
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ON SEMICONDUCTORcon |
10000 |
24+ |
查现货到京北通宇商城 |
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5年
留言
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ON(安森美)NA |
18000 |
25+ |
原装优势现货 |
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1年
留言
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ONSEMISOT-363 |
3509 |
2201+ |
原装正品,支持实单 |
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8年
留言
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ROHMSEMICONDUCTORNA |
12730 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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2年
留言
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onsemi |
373 |
21+ |
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系 |
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1年
留言
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ON(安森美)NA |
28000 |
25+ |
原装正品，可来电咨询 |
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6年
留言
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ON(安森美)NA |
8000 |
26+ |
原装现货,原厂渠道价格优势 |
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5年
留言
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ON(安森美)NA |
60000 |
26+ |
只有原装 可配单 |
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3年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
20000 |
22+ |
只做原装 |
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7年
留言
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ON(安森美)N/A |
18000 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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13年
留言
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ON/安森美NA |
303000 |
26+ |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
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9年
留言
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ONSEMI/安森美SOT-563 |
360000 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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8年
留言
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ONSC70-6 |
5969 |
1231+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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1年
留言
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onsemi/安森美SOT-563 |
8000 |
05+ |
原厂渠道 可含税出货，支持一站式配单 |
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10年
留言
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ONSOT23/6 |
1068 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
BC848CD采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BC848CD图片
BC848CDW1T1G价格
BC848CDW1T1G价格：￥0.1437品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的BC848CDW1T1G多少钱，想知道BC848CDW1T1G价格是多少？参考价：￥0.1437。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BC848CDW1T1G批发价格及采购报价，BC848CDW1T1G销售排行榜及行情走势，BC848CDW1T1G报价。
BC848CDW1T1资讯
BC848CDW1 深圳市裕信利电子有限公司
ADI（美国模拟器件）、Atmel（爱特梅尔）、恩XP（恩XP半导体）、 TI（BB德州仪器） 、Maxim（美信）、ST（意法半导体）、ON（安森美）、Fairchild（仙童）、Micron（美光）、IR（国际整流器）、LT（凌力尔特）、Freescale（飞思卡尔半导体
BC848CDW1T1中文资料Alldatasheet PDF
更多BC848CDW1T1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC848CDW1T1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC848CDXV6T1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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BC848CDXV6T5功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC848CDXV6T5G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
