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BC848CDW1T1G	文件：133.42 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC848CDW1T1G	文件：144.9 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors NPNDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications Requiri	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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BC848CDW1T1	文件：106.43 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •DeviceMarking: BC846BDW1T1=1B BC847BDW1T1=1F BC848CDW1T1=1L Features •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC848CDW1T1	文件：459.88 Kbytes Page：5 Pages	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors NPNDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
LBC848CDW1T1	文件：172.74 Kbytes Page：5 Pages	DualGeneralPurposeTransistorsNPNDuals	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBC848CDW1T1G	文件：202.63 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.RoHSrequirements. WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithandControlChangeRequirements;AEC-Q101Qualif	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBC848CDW1T1G	文件：233.46 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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详细参数

型号：
BC848CDW1T1G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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