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BC849BLT1G	文件：178.21 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:>4000V ESDRating−MachineModel:>400V •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC849BLT1G	文件：137.31 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:>4000V ESDRating−MachineModel:>400V •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC849BLT1G	文件：113.71 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC849BLT1G	文件：116.72 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC849BLT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC849BLT1	文件：220.78 Kbytes Page：6 Pages	CASE318-08,STYLE6SOT-23(TO-236AB) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BC849BLT1	文件：160.4 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating −HumanBodyModel:>4000V −MachineModel:>400V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC849BLT1	文件：183.42 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBC849BLT1	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBC849BLT1G	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBC849BLT1G	文件：573.84 Kbytes Page：13 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBC849BLT1G	文件：1.23606 Mbytes Page：13 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
NSVBC849BLT1G	文件：113.71 Kbytes Page：13 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
S-LBC849BLT1G	文件：1.23606 Mbytes Page：13 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

产品属性

产品编号：
BC849BLT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3

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