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BC849BLT1G	文件：178.21 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:>4000V ESDRating−MachineModel:>400V •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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BC849BLT1G	文件：113.71 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC849BLT1G	文件：116.72 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC849BLT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LBC849BLT1	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBC849BLT1G	文件：1.23606 Mbytes Page：13 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LBC849BLT1G	文件：573.84 Kbytes Page：13 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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产品属性

产品编号：
BC849BLT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3

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