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BC848U	文件：268.17 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=30V •ComplementarypairwithBC858U	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC848U	文件：82.46 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=30V •ComplementarypairwithBC858U	AUK AUK corp	AUK
BC848U	文件：290.07 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC848UF	文件：82.79 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=30V •ComplementarypairwithBC858UF	AUK AUK corp	AUK
BC848UF	文件：179.1 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC848W	文件：133.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ForAFinputstagesanddriverapplications. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Lownoisebetween30Hzand15kHz. ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC848W	文件：185.32 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC848W	文件：132.31 Kbytes Page：12 Pages	30V,100mANPNgeneral-purposetransistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistorsinSurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■General-purposetransistors ■SMDplasticpackages Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC848W	文件：130.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC848W	文件：349.7 Kbytes Page：1 Pages	USMPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

详细参数

型号：
BC848-T
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 0.1A 30V LN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC848-T供应商更新时间2025-5-1 15:48:00

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