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BC856BDW1T3G

Dual General Purpose Transistors

Dual General Purpose Transistors PNP Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is designed for low power surface mount applications. Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compli

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ONSEMI

安森美半导体

BC856BDW1T3G

Dual General Purpose Transistors

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安森美半导体

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详细参数

  • 型号:

    BC856BDW1T3G

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 100mA 80V Dual PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-363-6(SC-70-6)
7957
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ON/安森美
SMD
23+
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ON/安森美
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SOT363
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ON Semiconductor
2010+
N/A
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ON/安森美
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ON/安森美
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更多BC856BDW1T3G供应商 更新时间2025-12-24 9:53:00