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BC857B-TP	文件：102.17 Kbytes Page：3 Pages	PNP Small Signal Transistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857B-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 0.1A SOT23	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857BTQ	文件：409.23 Kbytes Page：6 Pages	45VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC857BV	文件：54.52 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposedoubletransistor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857BV	文件：355.84 Kbytes Page：3 Pages	PNPDUALSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(BC847BV) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC857BV	文件：127.56 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposedoubletransistor DESCRIPTION PNPdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:BC847BV. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mm×1.2mm×0.55mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads •Reduces	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC857BV	文件：257.23 Kbytes Page：2 Pages	DualPNPPlastic-EncapsulatedTransistors FEATURES ●EpitaxialDieConstruction ●ComplementaryNPNTypesAvailable(BC847BV) ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC857BV	文件：112.51 Kbytes Page：4 Pages	PNPDUALSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC857BV	文件：212.94 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857BV	文件：599.23 Kbytes Page：2 Pages	DUALTRANSISTOR(PNP) FEATURES ●EpitaxialDieConstruction ●ComplementaryNPNTypesAvailable(BC847BV) ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI

产品属性

产品编号：
BC857B-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

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