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BC858BLT1G	文件：179.58 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V •Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd
BC858BLT1G	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC858BLT1G	文件：172.95 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC858BLT1G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC858BLT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC858BLT1	文件：249.88 Kbytes Page：8 Pages	CASE318-08,STYLE6SOT-23(TO-236AB) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BC858BLT1	文件：211.86 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
BC858BLT1	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
LBC858BLT1	文件：148.17 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBC858BLT1G	文件：148.17 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBC858BLT1G	文件：146.52 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBC858BLT1G	文件：666.6 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
NSVBC858BLT1G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
S-LBC858BLT1G	文件：666.6 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

产品属性

产品编号：
BC858BLT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BC858BLT1G	onsemi	23+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	BC858BLT1G	ON(安森美)	23+	标准封装	37048	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
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深圳市特顺芯科技有限公司	BC858BLT1G	LRC	09+	SOT-23	600000		询价
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更多BC858BLT1G供应商更新时间2024-4-28 10:12:00

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