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BC858ALT1G	文件：179.58 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V •Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd
BC858ALT1G	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC858ALT1G	文件：172.95 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC858ALT1G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC858ALT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC858ALT1	文件：249.88 Kbytes Page：8 Pages	CASE318-08,STYLE6SOT-23(TO-236AB) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BC858ALT1	文件：211.86 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
BC858ALT1	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
LBC858ALT1	文件：148.17 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
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LBC858ALT1G	文件：146.52 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBC858ALT1G	文件：666.6 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
S-LBC858ALT1G	文件：666.6 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

产品属性

产品编号：
BC858ALT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
125 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BC858ALT1G	onsemi	23+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BC858ALT1G	ON	18+	SOT23	24000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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更多BC858ALT1G供应商更新时间2024-4-25 17:04:00

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