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BC848CDW	文件：929.83 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–363/SC–88 which is designed for low power surface mount applications. 文件：929.83 Kbytes 页数：6 Pages	YEASHIN 亚昕科技	YEASHIN
BC848CDW	文件：201.5 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor NPN Duals General Purpose Transistor NPN Duals 文件：201.5 Kbytes 页数：6 Pages	WEITRON	WEITRON
BC848CDW	文件：2.41026 Mbytes Page：15 Pages	丝印：1G；Package：SOT363；NPN Silicon Epitaxial General Purpose Transistors 文件：2.41026 Mbytes 页数：15 Pages	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BC848CDW1T1	文件：106.43 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is designed for low power surface mount applications. • Device Marking: BC846BDW1T1 = 1B BC847BDW1T1 = 1F BC848CDW1T1 = 1L Features • Pb−Free Package is Avail 文件：106.43 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDW1T1	文件：459.88 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–363/SC–88 which is designed for low power surface mount applications. 文件：459.88 Kbytes 页数：5 Pages	ETL 亚历电子	ETL
BC848CDW1T1G	文件：133.42 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is designed for low power surface mount applications. Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：133.42 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDW1T1G	文件：144.9 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is designed for low power surface mount applications. Features • S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiri 文件：144.9 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDW1	文件：110.48 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：110.48 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDW1T1G	文件：110.48 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：110.48 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDW	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN小信号三极管	ST 意法半导体	ST

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
Dual NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.25
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.66
hFE Min：
420
hFE Max：
800
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.38
Package Type：
SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC848CDW供应商更新时间2025-10-4 16:30:00

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