BC848C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BC848C |
参数属性 | BC848C 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 |
功能描述 | Small Signal Transistors (NPN) |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
301.49 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | GE Industrial Company |
企业简称 |
GE |
中文名称 | GE Industrial Company官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-28 12:09:00 |
人工找货 | BC848C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
BC848C规格书详情
FEATURES
♦ NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors
for switching and AF amplifier applications.
♦ Especially suited for automatic insertion in
thick- and thin-film circuits.
♦ These transistors are subdivided into three
groups A, B and C according to their current gain. The
type BC846 is available in groups A and B, however, the
types BC847 and BC848 can be supplied in all three
groups. The BC849 is a low noise type available in groups
B and C. As complementary types, the PNP transistors
BC856...BC859 are recommended.
产品属性
- 产品编号:
BC848C
- 制造商:
MDD
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
SOT-23
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
420 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23
- 描述:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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