BC848C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
BC848C |
| 参数属性 | BC848C 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 |
| 功能描述 | SMD NPN Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 文件大小 |
121.72 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | FORMOSA |
| 中文名称 | 美丽微半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-19 23:01:00 |
| 人工找货 | BC848C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
BC848C规格书详情
General Purpose Transistors
NPN Silicon
特性 Features
• Moisture Sensitivity Level: 1
• ESD Rating – Human Body Model: >4000 V,Machine Model: >400 V
• Epitaxial plana chip construction
• Ideal for medium power application and switching
• As complementary type, the PNP transistor BC856A is recommended.
• Capable of 225mW power dissipation.
• Lead-free parts for green partner, exceeds environmental standards of MIL-STD-19500 /228
• Suffix -H indicates Halogen-free part, ex.BC846A-H.
产品属性
- 产品编号:
BC848C
- 制造商:
MDD
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
SOT-23
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
420 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23
- 描述:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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