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BC848CDXV6T1	文件：64.97 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-563 which is designed for low power surface mount applications. • Lead-Free Solder Plating 文件：64.97 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDXV6T1	文件：102.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：102.11 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDXV6T1G	文件：102.33 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−563 which is designed for low power surface mount applications. Features • These are Pb−Free Devices 文件：102.33 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDXV6T1G	文件：138.67 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：138.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CDXV6T1G	文件：102.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：102.11 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
BC848CDXV6T1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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