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BC848CW-G	文件：135.09 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistor Features -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC848CW-G	文件：129.77 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal Transistor Features -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC848CWQ	文件：876.94 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BC848CW-TP	文件：794.27 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors Features •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V) •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC848F	文件：51.75 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. PNPcomplements:BC856F,BC857FandBC858Fseries. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC848F	文件：81.94 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=30V •ComplementarypairwithBC858F	AUK AUK corp	AUK
BC848F	文件：217.87 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
BC848S	文件：101.76 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC848S	文件：73.89 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors Features Twotransistorsinonepackage GeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01g Case	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC848S	文件：1.03078 Mbytes Page：3 Pages	DUALTRANSISTOR(NPNNPN)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

详细参数

型号：
BC848CW-G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 30V, .1A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC848CW-G供应商更新时间2025-5-4 11:10:00

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