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CTN638

ComplementaryTransistorsinPlasticPackageforDriverStageofAudioAmplifier

CTN635,637,639NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS CTN636,638,640PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS

CDIL

Continental Device India Limited

DC-638

3.0WATTSINGLE&DUALOUTPUTDC-DCCONVERTERS

INTRONICS

Intronics Power, Inc.

FAJAE-638

FRJAEASSEMBLY,6POSITIONAND8POSITION

AMPHENOLAmphenol Corporation

安费诺集团美国安费诺集团

FDC638

P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchTMMOSFET

GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformanceThesedevicesarewellsui

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDC638APZ

P-Channel2.5VPowerTrenchSpecifiedMOSFET-20V,-4.5A,43mohm

GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench®processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperior switchingperformanceThesedevicesarewell

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDC638P

P-Channel2.5VPowerTrenchSpecifiedMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDC638P

P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchTMMOSFET

GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformanceThesedevicesarewellsui

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDC638P

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

FRJAE-638

FRJAEASSEMBLY6POSITION&8POSITIONWITHORWITHOUTFERRITESSINGLEPORTHIGHTEMPMATERIAL

AMPHENOLAmphenol Corporation

安费诺集团美国安费诺集团

FTP-638MCL

THERMO-SENSITIVEPAPER

FujitsuFujitsu Component Limited.

富士通富士通株式会社

产品属性

  • 产品编号:

    BC638,112

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    63 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 1A TO92-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NXP
22+
NA
45000
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询价
NXP USA Inc.
2022+
TO-92-3
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
IR
23+
原厂封装
5177
现货
询价
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
询价
NXP/恩智浦
23+
TO-92
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
NXP/恩智浦
24+
NA/
3920
原装现货,当天可交货,原型号开票
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NXP/恩智浦
22+
TO-92
20000
原装现货,实单支持
询价
NXP
23+
TO-92
8000
只做原装现货
询价
NXP
23+
TO-92
7000
询价
NXP/恩智浦
25+
TO-92
670
原装正品,假一罚十!
询价
更多BC638,112供应商 更新时间2025-5-17 10:08:00