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BC640G	文件：65.81 Kbytes Page：4 Pages	High Current Transistors High Current Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：65.81 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC640G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 0.5A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC640PNP	文件：121.16 Kbytes Page：5 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS High Current Transistor 文件：121.16 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
BC640TA	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	Switching and Amplifier Applications Switching and Amplifier Applications • Complement to BC639 文件：111.87 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BC640TA	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor 文件：111.87 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

产品属性

产品编号：
BC640G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 80V 0.5A TO92

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更多BC640G供应商更新时间2025-12-7 14:30:00

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