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BC639G

High Current Transistors

HighCurrentTransistors NPNSilicon Features •ThesearePb−FreeDevices*

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

BC639G

High Current Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

BC639G

Package:TO-226-3,TO-92-3 长体;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A TO92

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

BC639NPN

SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS

SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS HighCurrentTransistor

CDIL

Continental Device India Limited

BEGV639M

DisplayEmbeddedSystem

BOLYMINBOLYMIN INC

宝丽明宝丽明有限公司

C639

500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT

Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg

POWERBOX

Powerbox manufactures

CD639

TO-92PlasticPackageTransistors(NPN)

CDIL

Continental Device India Limited

CMX639

TheProductDataAmendmentseriesofdocuments

CMLMICRO

CML Microcircuits

CNL639

SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS

CDIL

Continental Device India Limited

CTN639

ComplementaryTransistorsinPlasticPackageforDriverStageofAudioAmplifier

CTN635,637,639NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS CTN636,638,640PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS

CDIL

Continental Device India Limited

产品属性

  • 产品编号:

    BC639G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO92

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
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ONSEMI/安森美全新特价BC639G即刻询购立享优惠#长期有货
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更多BC639G供应商 更新时间2025-7-21 18:34:00