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BC639G	文件：66.58 Kbytes Page：4 Pages	High Current Transistors High Current Transistors NPN Silicon Features • These are Pb−Free Devices* 文件：66.58 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC639G	文件：98.51 Kbytes Page：4 Pages	High Current Transistors 文件：98.51 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC639G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC639NPN	文件：121.16 Kbytes Page：5 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS High Current Transistor 文件：121.16 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
BEGV639M	文件：302.88 Kbytes Page：3 Pages	Display Embedded System 文件：302.88 Kbytes 页数：3 Pages	BOLYMIN 宝丽明	BOLYMIN
C639	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500 WATTS (AC) DC/D CSINGLE OUTPUT Features • Single Output • 3U x 42TE x 166.5mm • Weight: 3.5kg 文件：501.68 Kbytes 页数：1 Pages	POWERBOX	POWERBOX

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更多BC639G供应商更新时间2026-1-20 18:46:00