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BC640

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

FEATURES * 1 Amp continuous current * Ptot= 800 mW

文件:27.12 Kbytes 页数:1 Pages

ZETEX

BC640

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS • Complement to BC635/637/639

文件:62.01 Kbytes 页数:3 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

BC640

PNP Epitaxial Silicon Transistor

SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS • Complement to BC635/637/639

文件:424.48 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

BC640

High Current Transistors(PNP Silicon)

High Current Transistors PNP Silicon

文件:86.61 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BC640

High Current Transistors

High Current Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available*

文件:65.81 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BC640

PNP medium power transistors

DESCRIPTION PNP medium power transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NP complements: BC635, BC637 and BC639. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Audio and video amplifiers.

文件:43.92 Kbytes 页数:8 Pages

PHI

PHI

PHI

BC640

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS High Current Transistor

文件:121.16 Kbytes 页数:5 Pages

CDIL

BC640

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES High current transistors

文件:721.21 Kbytes 页数:4 Pages

JIANGSU

长电科技

BC640

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

文件:184.61 Kbytes 页数:2 Pages

MICRO-ELECTRONICS

BC640

PNP Type Plastic Encapsulate Transistors

FEATURE Power Dissipation: PCM: 0.83mW (Tamb=25°C)

文件:221.74 Kbytes 页数:2 Pages

SECOS

喜可士

晶体管资料

  • 型号:

    BC640(-6...-10)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_TR_输出极 (E)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC490,BC528,3CK10E,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.8

产品属性

  • 产品编号:

    BC640

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 0.5A TO92

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更多BC640供应商 更新时间2026-4-17 16:01:00