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BC849	文件：52.37 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 NPN SILICON PLANAR SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 文件：52.37 Kbytes 页数：3 Pages	ZETEX	ZETEX
BC849	文件：68.65 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits • Low Noise: BC849, BC850 • Complement to BC856 ... BC860 文件：68.65 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC849	文件：149.1 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits • Low Noise: BC849, BC850 • Complement to BC856 ... BC860 文件：149.1 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC849	文件：46.35 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPN transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BC859 and BC860. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：46.35 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC849	文件：216.64 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon AF Transistors • For AF input stages and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Low noise between 30 Hz and 15 kHz • Complementary types: BC856...-BC860...(PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：216.64 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BC849	文件：54.93 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION ■ FEATURES * Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. * Complement to BC856 … BC860 文件：54.93 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
BC849	文件：146.75 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES • For Complementary With PNP Type BC859/860. 文件：146.75 Kbytes 页数：1 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
BC849	文件：186.57 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors General Purpose Transistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：186.57 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BC849	文件：98.91 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 (TO-236) • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：98.91 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BC849	文件：139.97 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPN transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BC859 and BC860. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：139.97 Kbytes 页数：8 Pages	恩XP	恩XP

晶体管资料

型号：
BC849
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低噪放大（ra）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCF32,BCF33,BCF81,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
30000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

ptot(W)：
0.2
IC(A)：
0.1
Vcbo(V)：
30
Vceo(V)：
30
Vebo(V)：
5
Icbo(uA)：
0.015
Icbo(V)：
30
Vce(sat)(V)：
0.25~0.6
Vce(sat)Ic(mA)：
10~100
Vce(sat)Ib(mA)：
0.5~5
hFE：
110~800
hFEvce(v)：
5
hFEIc(mA)：
2
ftMHz：
300
ftVce(v)：
5
ftIc/Ie(mA)：
10
PackageOutline：
SOT-23
Arrays：
BEC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC849供应商更新时间2026-4-17 9:31:00

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