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BC849	文件：228.81 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. 文件：228.81 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
BC849	文件：35.74 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 文件：35.74 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC849	文件：35.64 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 文件：35.64 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC849	文件：301.49 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal Transistors (NPN) FEATURES ♦ NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and AF amplifier applications. ♦ Especially suited for automatic insertion in thick- and thin-film circuits. ♦ These transistors are subdivided into three groups A, B and C according to their current gain. The typ 文件：301.49 Kbytes 页数：6 Pages	GE	GE
BC849	文件：40.97 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Transistors ■ Features ● Low current (max. 100 mA) ● Low voltage (max. 45 V). ● PNP complements: BC859 and BC860. 文件：40.97 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BC849	文件：476.38 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor for switching and amplifier applications 文件：476.38 Kbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
BC849	文件：595.68 Kbytes Page：6 Pages	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS VOLTAGE 30/45/65 Volts CURRENT 225 mWatts FEATURES • General purpose amplifier applications • NPN epitaxial silicon, planar design • Collector current IC = 100mA • In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives 文件：595.68 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BC849	文件：225.24 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor for switching and amplifier applications As complementary types the PNP transistors BC856...BC860 is recommended. 文件：225.24 Kbytes 页数：3 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
BC849	文件：406.31 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Transistors Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). 文件：406.31 Kbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC849	文件：356.32 Kbytes Page：9 Pages	NPN general purpose transistors FEATURES •Low current (max. 100 mA) •Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS •General purpose switching and amplification. DESCRIPTION NPN transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BC859 and BC860. 文件：356.32 Kbytes 页数：9 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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晶体管资料

型号：
BC849
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低噪放大（ra）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCF32,BCF33,BCF81,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
30000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

ptot(W)：
0.2
IC(A)：
0.1
Vcbo(V)：
30
Vceo(V)：
30
Vebo(V)：
5
Icbo(uA)：
0.015
Icbo(V)：
30
Vce(sat)(V)：
0.25~0.6
Vce(sat)Ic(mA)：
10~100
Vce(sat)Ib(mA)：
0.5~5
hFE：
110~800
hFEvce(v)：
5
hFEIc(mA)：
2
ftMHz：
300
ftVce(v)：
5
ftIc/Ie(mA)：
10
PackageOutline：
SOT-23
Arrays：
BEC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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