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BC849	文件：37.52 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR 文件：37.52 Kbytes 页数：1 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
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BC849	文件：101.76 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors 文件：101.76 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BC849	文件：144.76 Kbytes Page：2 Pages	SMD General Purpose NPN Transistors 文件：144.76 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BC849	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 - Power Transistor and Darlingtons 文件：27.5 Kbytes 页数：2 Pages	RECTRON 丽正	RECTRON
BC849	文件：139.97 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors 文件：139.97 Kbytes 页数：8 Pages	恩XP	恩XP
BC849	文件：1.23645 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：1.23645 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BC849	文件：358.01 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：358.01 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
BC849	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号晶体管	ST 意法半导体	ST
BC849	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Transistors	LIXI 力芯微电子	LIXI

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晶体管资料

型号：
BC849
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低噪放大（ra）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCF32,BCF33,BCF81,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
30000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

ptot(W)：
0.2
IC(A)：
0.1
Vcbo(V)：
30
Vceo(V)：
30
Vebo(V)：
5
Icbo(uA)：
0.015
Icbo(V)：
30
Vce(sat)(V)：
0.25~0.6
Vce(sat)Ic(mA)：
10~100
Vce(sat)Ib(mA)：
0.5~5
hFE：
110~800
hFEvce(v)：
5
hFEIc(mA)：
2
ftMHz：
300
ftVce(v)：
5
ftIc/Ie(mA)：
10
PackageOutline：
SOT-23
Arrays：
BEC

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