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BC818	文件：31.84 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC807/ BC808 文件：31.84 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC818	文件：47.67 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC807, BC808 (PNP) 文件：47.67 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BC818	文件：80.78 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor (High current application Switching application) Descriptions • High current application • Switching application Features • Suitable for AF-Driver stage and low power output stages • Complementary pair with BC808 文件：80.78 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
BC818	文件：204.04 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SOT-23 Formed SMD Package SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS N–P–N transistors 文件：204.04 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BC818	文件：337.81 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SILICON NPN TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC817 and BC818 series devices are silicon NPN transistors, epoxy molded in a surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. 文件：337.81 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
BC818	文件：188.12 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 310 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：188.12 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BC818	文件：191.31 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier FEATURES ● For general AF application. ● Complementary PNP type available BC808. ● High collector current, high current gain. ● Low collector-emitter saturation voltage. APPLICATIONS ● General purpose medium power amplifier. 文件：191.31 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BC818	文件：229.95 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in drive and output stages of audio amplifiers. 文件：229.95 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
BC818	文件：227.3 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistors (NPN) FEATURES ♦ NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching, AF driver and amplifier applications. ♦ Especially suited for automatic insertion in thick- and thin-film circuits. ♦ These transistors are subdivided into three groups -16, -25 and -40 according to their current gain. ♦ As com 文件：227.3 Kbytes 页数：5 Pages	GE	GE
BC818	文件：361.75 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage 文件：361.75 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI

晶体管资料

型号：
BC818
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX19,BCX20,BCW65,BCW66,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
200000000
atest：
0.5
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.7
IC Cont. (A)：
0.5
VCEO Min (V)：
25
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.2
hFE Min：
250
hFE Max：
600
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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