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BC818-16W	文件：864.72 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon AF Transistor ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC807, BC808 (PNP) 文件：864.72 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BC818-16W	文件：225.5 Kbytes Page：5 Pages	NPN general purpose transistor FEATURES ● High collector current. ● High current gain. ● Low collector-emitter saturation voltage. ● Complementary types:BC807W,BC808W. APPLICATIONS ● General purpose switching and amplification application. 文件：225.5 Kbytes 页数：5 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BC818-16W	文件：90.07 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistor (For general AF applications High collector current High current gain) NPN Silicon AF Transistor • For general AF applications • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BC807W, BC808W (PNP) 文件：90.07 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC818-25	文件：130.699 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC 807, BC 808 (PNP) 文件：130.699 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC818-25	文件：186.07 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage 文件：186.07 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
BC818-25	文件：186.07 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage 文件：186.07 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
BC818-25	文件：361.75 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage 文件：361.75 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
BC818-25	文件：864.72 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon AF Transistor ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC807, BC808 (PNP) 文件：864.72 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BC818-25	文件：242.34 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistors Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Capable of 0.3Watts of Power Dissipation. • Collector-current 0.5A • Collector-base Voltage 30V • Operating and storage junct 文件：242.34 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
BC818-25	文件：47.67 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC807, BC808 (PNP) 文件：47.67 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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晶体管资料

型号：
BC818
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX19,BCX20,BCW65,BCW66,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
200000000
atest：
0.5
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.7
IC Cont. (A)：
0.5
VCEO Min (V)：
25
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.2
hFE Min：
250
hFE Max：
600
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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