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BC818-40L	文件：182.09 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors NPN Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：182.09 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC818-40L_V01	文件：182.09 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors NPN Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：182.09 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC818-40LT1G	文件：182.09 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors NPN Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：182.09 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC81840MTF	文件：166.48 Kbytes Page：5 Pages	丝印：8GC；Package：SOT-23；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC807/ BC808 文件：166.48 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC818-40W	文件：90.07 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistor (For general AF applications High collector current High current gain) NPN Silicon AF Transistor • For general AF applications • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BC807W, BC808W (PNP) 文件：90.07 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC818-40W	文件：49.62 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistor DESCRIPTION NPN transistor in a SOT323 plastic package. PNP complement: BC807W. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：49.62 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC818-40W	文件：47.5 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC807W, BC808W (PNP) 文件：47.5 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BC818-40W	文件：225.5 Kbytes Page：5 Pages	NPN general purpose transistor FEATURES ● High collector current. ● High current gain. ● Low collector-emitter saturation voltage. ● Complementary types:BC807W,BC808W. APPLICATIONS ● General purpose switching and amplification application. 文件：225.5 Kbytes 页数：5 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BC818A	文件：39.72 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors Features For general AF applications. High collector current. High current gain. Low collector-emitter saturation voltage. 文件：39.72 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BC818F	文件：272.58 Kbytes Page：4 Pages	High current application Descriptions • High current application • Switching application Features • Suitable for AF-Driver stage and low power output stages • Complementary pair with BC808F 文件：272.58 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI

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晶体管资料

型号：
BC818
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX19,BCX20,BCW65,BCW66,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
200000000
atest：
0.5
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.7
IC Cont. (A)：
0.5
VCEO Min (V)：
25
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.2
hFE Min：
250
hFE Max：
600
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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