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BC818-16	文件：47.67 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC807, BC808 (PNP) 文件：47.67 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BC818-16	文件：337.81 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SILICON NPN TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC817 and BC818 series devices are silicon NPN transistors, epoxy molded in a surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. 文件：337.81 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
BC818-16	文件：188.12 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 310 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：188.12 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BC818-16	文件：174.52 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Mechanical Data 1) Taped an 文件：174.52 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BC818-16	文件：242.34 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistors Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Capable of 0.3Watts of Power Dissipation. • Collector-current 0.5A • Collector-base Voltage 30V • Operating and storage junct 文件：242.34 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
BC818-16	文件：191.31 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier FEATURES ● For general AF application. ● Complementary PNP type available BC808. ● High collector current, high current gain. ● Low collector-emitter saturation voltage. APPLICATIONS ● General purpose medium power amplifier. 文件：191.31 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BC818-16	文件：186.07 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage 文件：186.07 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
BC81816MTF	文件：166.48 Kbytes Page：5 Pages	丝印：8GA；Package：SOT-23；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC807/ BC808 文件：166.48 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC818-16W	文件：49.62 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistor DESCRIPTION NPN transistor in a SOT323 plastic package. PNP complement: BC807W. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：49.62 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC818-16W	文件：47.5 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC807W, BC808W (PNP) 文件：47.5 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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晶体管资料

型号：
BC818
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX19,BCX20,BCW65,BCW66,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
200000000
atest：
0.5
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.7
IC Cont. (A)：
0.5
VCEO Min (V)：
25
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.2
hFE Min：
250
hFE Max：
600
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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