| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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15年
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NEXPERIA/安世SOT-323 |
41699 |
25+ |
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NEXPERIA/安世全新特价BC859BW,115即刻询购立享优惠#长期有货 |
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恩XPN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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NEXPERIASOT-23-3 |
39000 |
20+ |
原装正品,实单请联系 |
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7年
留言
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恩XPN/A |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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恩XPSOT-23 |
12000 |
25+ |
现货、进口原装、假一罚万,价格最低 |
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13年
留言
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NEXPERIATube |
195000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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7年
留言
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NexperiaN/A |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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11年
留言
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恩XPSOT323 |
3000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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7年
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NEXPERIA/安世SOT-323 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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7年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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7年
留言
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恩XPN/A |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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CJSOT23 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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5年
留言
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PANJIT/强茂SOT-323 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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3年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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3年
留言
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CJSOT23 |
8500 |
23+ |
原厂原装正品 |
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10年
留言
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AUKSOT-23 |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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10年
留言
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PHISOT23 |
19352 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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10年
留言
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PHISOT23 |
3000 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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10年
留言
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SOT-23NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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15年
留言
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恩XPSOT323 |
32000 |
25+ |
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恩XP/恩XP全新特价BC859AW即刻询购立享优惠#长期有货 |
BC859采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC859图片
BC859B,215价格
BC859B,215价格:¥0.0635品牌:恩XP
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BC859AW资讯
BC859C 深圳市裕信利电子有限公司
ADI(美国模拟器件)、Atmel(爱特梅尔)、恩XP(恩XP半导体)、 TI(BB德州仪器) 、Maxim(美信)、ST(意法半导体)、ON(安森美)、Fairchild(仙童)、Micron(美光)、IR(国际整流器)、LT(凌力尔特)、Freescale(飞思卡尔半导体)
BC859B 深圳市裕信利电子有限公司
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BC859W 深圳市裕信利电子有限公司
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BC859C 深圳市裕信利电子有限公司
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BC859B 深圳市裕信利电子有限公司
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BC859AW中文资料Alldatasheet PDF
更多BC859AMTF功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859AMTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859ATA功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859ATC功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859AW RF功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859B,215功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859B-E6327制造商:Siemens 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SOT-23
BC859BE6327T制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANS SOT23 T&R 3K
BC859BLT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BLT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
低噪放大 (ra)
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
30V
- 最大电流允许值:
0.1A
- 最大工作频率:
150MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BCF29,BCF30,BCF70,
- 最大耗散功率:
- 放大倍数:
- 图片代号:
H-15
- vtest:
30
- htest:
150000000
- atest:
0.1
- wtest:
0


































