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深圳市星源辉科技有限公司

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BC640

BC640

onsemi/安森美TO-92-3

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原装正品,可配单,支持实单

深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

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BC640

10000

25+

公司现货库存

深圳市欧立现代科技有限公司

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13年 留言

BC640

STTO-126

12500

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绝对原装现货,价格低,欢迎询购!

深圳市力仕科电子科技有限公司

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4年 留言
BC640TA

onsemi(安森美)TO-92-3L

3950

25

QQ询价 绝对原装正品

深圳市科恒伟业电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO92

8850

2450+

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

深圳市拓亿芯电子有限公司

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PHITO92

30000

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代理全新原装现货 价格优势

深圳市旺财半导体有限公司

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FSCto-92

66880

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原装正品,欢迎询价

深圳市明嘉莱科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-92

880000

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市凯睿晟科技有限公司

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CJ/长电TO-92

30000

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百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票

嘉宏桦电子(深圳)有限公司

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onsemi/安森美TO-92-3

4860

26+

原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单

富凯科技(深圳)有限公司

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CJ/长电TO-92

50000

24+

只做原装,欢迎询价,量大价优

深圳市腾亿芯科技有限公司

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9年 留言

CJ/长电TO-92

20000

25+

原装

深圳市富利微电子科技有限公司

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ONTO-92

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原装正品公司现货,假一赔十!

深圳市恒凯威科技开发有限公司

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ONTO-92

10000

21+

只做原装,质量保证

千层芯半导体(深圳)有限公司

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FSCSMD

20000

24+

一级代理原装现货假一罚十

深圳市卓越微芯电子有限公司

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PHTO-92

6000

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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市一线半导体有限公司

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TO-92

50000

24+

深圳市赛特兴科技有限公司

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ONTO-92

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23+

正规渠道,只有原装!

深圳市河锋鑫科技有限公司

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ONTO-92

7600

2021+

原装现货,欢迎询价

深圳市中联芯电子有限公司

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    深圳市 福田区 振兴路 上步管理大厦 501栋402室

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长电TO-92

9000

25+

只做原装正品 有挂有货 假一赔十

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BC640TA价格:¥0.1481品牌:Fairchild

生产厂家品牌为Fairchild的BC640TA多少钱,想知道BC640TA价格是多少?参考价:¥0.1481。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BC640TA批发价格及采购报价,BC640TA销售排行榜及行情走势,BC640TA报价。

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BC640功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC640 AMO功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC640 T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC640,112功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BULK DLT PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC640,116功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC640,126功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC640_D28Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC640_D74Z功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC640_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP HI CURRENT XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC640_J61Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号:

    BC640

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 0.5A TO92