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BB502C	文件：64.93 Kbytes Page：13 Pages	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.6dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD; BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB502C	文件：118.01 Kbytes Page：11 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB502C	文件：145.92 Kbytes Page：11 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB502C_11	文件：145.92 Kbytes Page：11 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB502CBS-TL-E	文件：118.01 Kbytes Page：11 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB502CBS-TL-E	文件：145.92 Kbytes Page：11 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB502CBS-TL-H	文件：145.92 Kbytes Page：11 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

更多BB502C供应商更新时间2025-5-28 16:30:00