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BB505C	文件：111.98 Kbytes Page：9 Pages	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.5dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=24dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto190VatC=200pF,Rs=0conditions	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB505CES	文件：111.98 Kbytes Page：9 Pages	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.5dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=24dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto190VatC=200pF,Rs=0conditions	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB505G	文件：48.48 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiodes	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BB505M	文件：187.96 Kbytes Page：9 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.5dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=24dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto190VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provide	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB505MES	文件：187.96 Kbytes Page：9 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.5dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=24dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto190VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provide	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BC505	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BCR505	文件：35.58 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=10kΩ)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR505	文件：114.66 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=10kΩ) •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR505	文件：138.6 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR505	文件：531.59 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
BB505C
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

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更多BB505C供应商更新时间2025-5-25 10:50:00

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