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BB506CFS	文件：111.22 Kbytes Page：9 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier Features BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. Highgain PG=24dBtyp.(f=900MHz) Lownoise NF=1.4dBtyp.(f=900MHz) Lowoutputcapacitance Coss=1.1pFtyp.(f=1MHz) Provideminimoldpackages:CMPAK-4(SOT-343mo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB506CFS-TL-E	文件：105.42 Kbytes Page：9 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB506CFS-TL-H	文件：105.42 Kbytes Page：9 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB506M	文件：129.699 Kbytes Page：9 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •HighgainPG=24dBtyp.(f=900MHz) •LownoiseNF=1.4dBtyp.(f=900MHz) •LowoutputcapacitanceCoss=1.1pFtyp.(f=1MHz) •Provideminimoldpackages:CMPAK-4(SOT-343mod)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB506MFS-TL-E	文件：129.699 Kbytes Page：9 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •HighgainPG=24dBtyp.(f=900MHz) •LownoiseNF=1.4dBtyp.(f=900MHz) •LowoutputcapacitanceCoss=1.1pFtyp.(f=1MHz) •Provideminimoldpackages:CMPAK-4(SOT-343mod)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BD506	文件：166.6 Kbytes Page：2 Pages	PNPsiliconannlartransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD506N	文件：241.51 Kbytes Page：2 Pages	50AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BD506N	文件：1.28802 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
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详细参数

型号：
BB506CFS
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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