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BB506CFS-TL-H	文件：105.42 Kbytes Page：9 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC 文件：105.42 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
BB506M	文件：129.699 Kbytes Page：9 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier Features • Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. • High gain PG = 24 dB typ. (f = 900 MHz) • Low noise NF = 1.4 dB typ. (f = 900 MHz) • Low output capacitance Coss = 1.1 pF typ. (f = 1 MHz) • Provide mini mold packages: CMPAK-4 (SOT-343mod) 文件：129.699 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
BB506MFS-TL-E	文件：129.699 Kbytes Page：9 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier Features • Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. • High gain PG = 24 dB typ. (f = 900 MHz) • Low noise NF = 1.4 dB typ. (f = 900 MHz) • Low output capacitance Coss = 1.1 pF typ. (f = 1 MHz) • Provide mini mold packages: CMPAK-4 (SOT-343mod) 文件：129.699 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
BD506	文件：166.6 Kbytes Page：2 Pages	PNP silicon annlar transistors 文件：166.6 Kbytes 页数：2 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola

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