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BB502M	文件：65.019 Kbytes Page：13 Pages	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier Features • Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. • Low noise; NF = 1.6 dB typ. at f = 900 MHz • High gain; PG = 22 dB typ. at f = 900 MHz • Withstanding to ESD; Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions. 文件：65.019 Kbytes 页数：13 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

更多BB502CBS-TL-E供应商更新时间2025-10-9 9:48:00