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BB503CCS-TL-E	文件：217.98 Kbytes Page：11 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier Features • Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. • Low noise; NF = 1.8 dB typ. at f = 900 MHz • High gain; PG = 22 dB typ. at f = 900 MHz • Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions. • Provide mini 文件：217.98 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HER503	文件：125.41 Kbytes Page：2 Pages	HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(5.0A,50-400V) 文件：125.41 Kbytes 页数：2 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
LN503G	文件：22.69 Kbytes Page：1 Pages	Numeric Display Numeric Display 7.6 mm (.3”) Series 文件：22.69 Kbytes 页数：1 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
SR503	文件：227.94 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(5.0A,20-60V) 文件：227.94 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC

详细参数

型号：
BB503CCS-TL-E
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

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更多BB503CCS-TL-E供应商更新时间2026-4-19 22:58:00

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