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BB503CCS-TL-E	文件：217.98 Kbytes Page：11 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB503M	文件：300.97 Kbytes Page：11 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB503M	文件：64.739 Kbytes Page：13 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB503MCS-TL-E	文件：300.97 Kbytes Page：11 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BC503	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BCR503	文件：35.6 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivecircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivecircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR503	文件：43.15 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ) •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR503	文件：138.37 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR503	文件：531.37 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BD503N	文件：1.28802 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

详细参数

型号：
BB503CCS-TL-E
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

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更多BB503CCS-TL-E供应商更新时间2025-5-29 8:31:00

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