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BAS116HY	文件：1.48135 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage) Features Highreliability Smallmoldtype LowIR Application Generalswitching Structure Epitaxialplanar	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAS116HYFH	文件：1.48155 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage) Features Highreliability Smallmoldtype LowIR Application Generalswitching Structure Epitaxialplanar	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAS116L	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116L	文件：679.54 Kbytes Page：12 Pages	Low-leakagediode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116LS	文件：218.95 Kbytes Page：10 Pages	Low-leakagediode 1.Generaldescription Low-leakagediodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Switchingtime:max.trr=3μs •Lowleakagecurrent:max.IR=5nA •Repetitivepeakreversevolt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116LS-Q	文件：219.22 Kbytes Page：10 Pages	Low-leakagediode 1.Generaldescription Low-leakagediodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Switchingtime:max.trr=3μs •Lowleakagecurrent:max.IR=5nA •Repetitivepeakreversevolt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116QA	文件：687.94 Kbytes Page：12 Pages	Low-leakagediode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116RF	文件：68.48 Kbytes Page：2 Pages	225mWSMDSwitchingDiode FEATURES -Lowpowerloss,highcurrentcapability,lowVF -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free) MECHANICAL	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS116RFG	文件：206.57 Kbytes Page：4 Pages	225mW,SMDSwitchingDiode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS116T	文件：55.06 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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产品属性

产品编号：
BAS116 RFG
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BAS116 RFG供应商更新时间2025-7-16 16:30:00

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