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BAS116T	文件：76.66 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116T	文件：82.22 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •VeryLowLeakageCurrent •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116T	文件：248.06 Kbytes Page：11 Pages	Singlelowleakagecurrentswitchingdiode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116TW	文件：146.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2nAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA •Case:SOT-363plastic	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116UDJ	文件：103.81 Kbytes Page：4 Pages	DUALSURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage(1.0x0.8mm) •Ultra-LowProfilePackage(0.45mm) •UltraLowLeakageCurrent(5nA@VR=75V) •LowCapacitance •IdealforBatteryPoweredPortableApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFreeGreenDe	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116V	文件：69.09 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) MechanicalData •Case:SOT563 •CaseMaterial:MoldedPlastic,“Green”Mo	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116V	文件：342.32 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116V	文件：120.38 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116VY	文件：203.88 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagetripleswitchingdiode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolatedtriplediodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowleakagecurrent:max.5nA •Switchingtime:typical0.8μs •Continuousreversevoltage:maxim	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116VY-Q	文件：203.46 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagetripleswitchingdiode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolatedtriplediodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowleakagecurrent:max.5nA •Switchingtime:typical0.8μs •Continuousreversevoltage:maxim	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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产品属性

产品编号：
BAS116 RFG
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23

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更多BAS116 RFG供应商更新时间2025-7-24 14:31:00

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