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BAS116HYFH	文件：300 bytes Page：1 Pages	低漏失型, 80V, 215mA, SOT-23, 单, 车载用开关二极管 BAS116HYFH是低IR的开关二极管。适合一般开关用途。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。 • High reliability\n• Small mold type\n• Low IR;	ROHM 罗姆	ROHM
BAS116HYFH	文件：1.48155 Mbytes Page：8 Pages	丝印：D8U；Package：SOT-23；Switching Diode (Low leakage) Features High reliability Small mold type Low IR Application General switching Structure Epitaxial planar 文件：1.48155 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BAS116HYFHT116	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,	ROHM 罗姆	ROHM
BAS116L	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode Features • Low Leakage Current Applications • Medium Speed Switching Times • Available in 8 mm Tape and Reel Use BAS116LT1G to order the 7 inch/3,000 unit reel • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Q 文件：83.2 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS116L	文件：679.54 Kbytes Page：12 Pages	Low-leakage diode 文件：679.54 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAS116LS	文件：218.95 Kbytes Page：10 Pages	Low-leakage diode 1. General description Low-leakage diode in an ultra small DFN1006BD-2 (SOD882BD) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with side-wettable flanks. 2. Features and benefits • Switching time: max. trr = 3 μs • Low leakage current: max. IR = 5 nA • Repetitive peak reverse volt 文件：218.95 Kbytes 页数：10 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技术参数

封装：
SOT-23
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Configuration：
Single
Package Code：
SOT-23
Mounting Style：
Surface mount
Number of terminal：
3
VRM[V]：
100
Reverse Voltage VR[V]：
80
Average Rectified Forward Current IO[A]：
0.215
IFM[A]：
0.5
Forward Voltage VF[V]：
1.25
IF @ Forward Voltage [mA]：
150
Reverse Current IR[µA]：
0.005
VR @ Reverse Current [V]：
75
trr[ns]：
3000
IF @ trr [mA]：
10
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-65
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.4 (t=1.15)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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