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BAS116LT1	文件：37.69 Kbytes Page：2 Pages	Switching Diode Thisswitchingdiodehasthefollowingfeatures: •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1toorderthe7inch/3,000unitreel UseBAS116LT3toorderthe13inch/10,000unitreel	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BAS116LT1	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT1	文件：57.15 Kbytes Page：1 Pages	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BAS116LT1D	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT1G	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT1G	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT3G	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT3G	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116RF	文件：68.48 Kbytes Page：2 Pages	225mW SMD Switching Diode FEATURES -Lowpowerloss,highcurrentcapability,lowVF -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free) MECHANICAL	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS116T	文件：55.06 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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详细参数

型号：
BAS11
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
Controlled avalanche rectifiers

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市昌和盛利电子有限公司	BAS116E6433	INFINEON	23+	SOT-23	7936		询价
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