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BAS16J-Q	文件：190.63 Kbytes Page：10 Pages	Marking：AR；Package：SC-90；High-speed switching diode 1.Generaldescription High-speedswitchingdiode,encapsulatedinaverysmallandflatleadSOD323FSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤100V •Repetiti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16L	文件：773.33 Kbytes Page：21 Pages	Marking：S2；Package：DFN1006-2；High-speed switching diodes Featuresandbenefits Highswitchingspeed:trr4ns Lowleakagecurrent Repetitivepeakreversevoltage: VRRM100V AEC-Q101qualified Lowcapacitance Reversevoltage:VR100V SmallSMDplasticpackages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16L	文件：221.07 Kbytes Page：9 Pages	Marking：S2；Package：DFN1006-2；High-speed switching diode 1.Generaldescription High-speedswitchingdiode,encapsulatedinaleadlessultrasmallSOD882Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤100V •Repetitivepe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16L	文件：773.63 Kbytes Page：21 Pages	High-speed switching diodes Generaldescription High-speedswitchingdiodes,encapsulatedinsmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackages Applications High-speedswitching General-purposeswitching	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16L	文件：86.2 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode SwitchingDiode Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS16L	文件：581.06 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHING DIODE REVERSE VOLTAGE 75V FORWARD CURRENT 200mA DESCRIPTION The BAS16LisavailableinSOT23Package FEATURES AvailableinSOT23Package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
BAS16L	文件：122 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Fast Switching Diode FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Fastswitchingdiode •LeadlessultrasmallDFN1006-2Apackage (1mm×0.6mm×0.45mm) •PowerdissipationbetterthanSOT-23 •Surface-mounteddevice(SMD)plasticpackage withvisibleandsidewallplated/wettableflanks •Solderingcanbec	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS16L_V01	文件：122 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Fast Switching Diode FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Fastswitchingdiode •LeadlessultrasmallDFN1006-2Apackage (1mm×0.6mm×0.45mm) •PowerdissipationbetterthanSOT-23 •Surface-mounteddevice(SMD)plasticpackage withvisibleandsidewallplated/wettableflanks •Solderingcanbec	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS16LD	文件：1.20224 Mbytes Page：4 Pages	Marking：T8；Package：DFNI006-2L；Switching Diode Featuresandbenefits\| +Extremelysmallsurfacemountingtype. *HighSpeed.\|	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BAS16LD	文件：733.64 Kbytes Page：11 Pages	Marking：10000000；Package：SOD882D；Single high-speed switching diode Featuresandbenefits Highswitchingspeed:trr≤4ns Lowleakagecurrent Repetitivepeakreversevoltage: VRRM≤100V AEC-Q101qualified. Lowcapacitance Reversevoltage:VR≤100V UltrasmallandleadlessSMDplastic package Solderablesidepads	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VR Min (V)：
100
VF Max (V)：
1
IR Max (µA)：
1
IF Max (A)：
0.2
trr Max (ns)：
6
CD Max (pF)：
2
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BAS16L	NEXPERIA/安世	25+	SOD882	600000	NEXPERIA/安世全新特价BAS16L即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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