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BAS16HT1G	文件：60.43 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS16HT1G	文件：122.19 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Diode SmallSignalDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BAS16HT1G	文件：315.77 Kbytes Page：2 Pages	200mA Surface Mount Switching Diode 200mASurfaceMountSwitchingDiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BAS16HT1GH	文件：61.88 Kbytes Page：2 Pages	Switching Diode Lead free product Halogen-free type SwitchingDiode Leadfreeproduct Halogen-freetype	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
BAS16HT3G	文件：60.43 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS16HY	文件：1.40939 Mbytes Page：8 Pages	Switching Diode (High speed switching) Features Highreliability Smallmoldtype Application Highspeedswitching Structure Epitaxialplanar	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAS16HYFH	文件：1.4096 Mbytes Page：8 Pages	Marking：D9U；Package：SOT-23；Switching Diode (High speed switching) Features Highreliability Smallmoldtype Application Highspeedswitching Structure Epitaxialplanar	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAS16J	文件：220.37 Kbytes Page：8 Pages	Marking：AR；Package：SC-90；High-speed switching diode 1.Generaldescription High-speedswitchingdiode,encapsulatedinaverysmallandflatleadSOD323FSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤100V •Repetiti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16J	文件：773.33 Kbytes Page：21 Pages	Marking：AR；Package：SC-90；High-speed switching diodes Featuresandbenefits Highswitchingspeed:trr4ns Lowleakagecurrent Repetitivepeakreversevoltage: VRRM100V AEC-Q101qualified Lowcapacitance Reversevoltage:VR100V SmallSMDplasticpackages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16J	文件：773.63 Kbytes Page：21 Pages	High-speed switching diodes Generaldescription High-speedswitchingdiodes,encapsulatedinsmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackages Applications High-speedswitching General-purposeswitching	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VR Min (V)：
100
VF Max (V)：
1
IR Max (µA)：
1
IF Max (A)：
0.2
trr Max (ns)：
6
CD Max (pF)：
2
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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