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BAS16DY-QX	文件：204.3 Kbytes Page：9 Pages	High-speed dual switching diode 1.Generaldescription High-speedswitching,electricallyisolateddualdiode,encapsulatedinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤10	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16-G	文件：100.51 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal Fast Switching Diode FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Ultrafastswitchingspeed •Surfacemountpackageideallysuitedfor automaticinsertion •Highconductance •AEC-Q101qualifiedavailable (partnumberonrequest) •BaseP/N-G3-green,commercialgrade •Materialcategorization: fordefini	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS16-G_V01	文件：100.51 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal Fast Switching Diode FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Ultrafastswitchingspeed •Surfacemountpackageideallysuitedfor automaticinsertion •Highconductance •AEC-Q101qualifiedavailable (partnumberonrequest) •BaseP/N-G3-green,commercialgrade •Materialcategorization: fordefini	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS16GH	文件：51.6 Kbytes Page：2 Pages	Switching Diode Lead free product Halogen-free type SwitchingDiode Leadfreeproduct Halogen-freetype	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
BAS16H	文件：94.62 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE SiliconEpitaxialPlanarDieConstruction FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
BAS16H	文件：241.21 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Switching Diode Features: HighSpeed≤6ns LowReverLeakageCurrent *SmallOutlineSurfaceMountSOD-323Package	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BAS16H	文件：100.41 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount Small Signal Switching Diode DESCRIPTION •FastSwitchingSpeed •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion •ForGeneralPurposeSwitchingApplications •HighConductance	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAS16H	文件：55.85 Kbytes Page：10 Pages	High-speed switching diode in SOD123F package Generaldescription TheBAS16Hisahigh-speedswitchingdiodefabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinaSOD123Fsmallandflatplasticpackage. Features ■Highswitchingspeed:max.4ns ■Continuousreversevoltage:max.100V ■Repetitivepeakreversevoltage:max.100V	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS16H	文件：192.58 Kbytes Page：9 Pages	Marking：A1；Package：SOD123F；High-speed switching diode 1.Generaldescription High-speedswitchingdiode,encapsulatedinasmallandflatleadSOD123FSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤100V •Repetitivepe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16H	文件：773.33 Kbytes Page：21 Pages	Marking：A1；Package：SOD123F；High-speed switching diodes Featuresandbenefits Highswitchingspeed:trr4ns Lowleakagecurrent Repetitivepeakreversevoltage: VRRM100V AEC-Q101qualified Lowcapacitance Reversevoltage:VR100V SmallSMDplasticpackages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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详细参数

型号：
BAS1
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
DIODE, HIGHS, 100V, 220MA, SOD882
功能描述：
DIODE, HIGHS, 100V, 220MA, SOD882; Diode
Type：
Ultrafast Recovery; Forward Current
If(AV)：
215mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm
Max：
100V; Forward Voltage VF
Max：
1.25V; Reverse Recovery Time trr
Max：
4ns; Diode Case
Style：
SOD-882 ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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