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BAS16DXV6T1	文件：61.58 Kbytes Page：6 Pages	Dual Switching Diode Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS16DXV6T1G	文件：61.58 Kbytes Page：6 Pages	Dual Switching Diode Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS16DXV6T1G	文件：67.26 Kbytes Page：5 Pages	Dual Switching Diode Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS16DXV6T5	文件：61.58 Kbytes Page：6 Pages	Dual Switching Diode Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS16DXV6T5G	文件：61.58 Kbytes Page：6 Pages	Dual Switching Diode Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS16DY	文件：212.53 Kbytes Page：9 Pages	Marking：M3；Package：TSSOP6；High-speed dual switching diode 1.Generaldescription High-speedswitching,electricallyisolateddualdiode,encapsulatedinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤10	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16DY-Q	文件：204.3 Kbytes Page：9 Pages	Marking：M3；Package：TSSOP6；High-speed dual switching diode 1.Generaldescription High-speedswitching,electricallyisolateddualdiode,encapsulatedinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤10	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16DY-QX	文件：204.3 Kbytes Page：9 Pages	High-speed dual switching diode 1.Generaldescription High-speedswitching,electricallyisolateddualdiode,encapsulatedinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤10	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16-G	文件：100.51 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal Fast Switching Diode FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Ultrafastswitchingspeed •Surfacemountpackageideallysuitedfor automaticinsertion •Highconductance •AEC-Q101qualifiedavailable (partnumberonrequest) •BaseP/N-G3-green,commercialgrade •Materialcategorization: fordefini	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS16-G_V01	文件：100.51 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal Fast Switching Diode FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Ultrafastswitchingspeed •Surfacemountpackageideallysuitedfor automaticinsertion •Highconductance •AEC-Q101qualifiedavailable (partnumberonrequest) •BaseP/N-G3-green,commercialgrade •Materialcategorization: fordefini	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VR Min (V)：
100
VF Max (V)：
1
IR Max (µA)：
1
IF Max (A)：
0.2
trr Max (ns)：
6
CD Max (pF)：
2
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BAS16L	NEXPERIA/安世	25+	SOD882	600000	NEXPERIA/安世全新特价BAS16L即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BAS16L	恩XP	23+	N/A	12000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市创新迹电子有限公司	BAS16L	NEXPERIA/安世	2021+	SOD-882	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	BAS16L	NEXPERIA	24+	SOD-882	107048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	BAS16L	恩XP	23+	SOD882	12000	一级代理原装现货	询价
深圳市益百分电子有限公司	BAS16L	恩XP	1733+	NA	10000		询价
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