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BAS16LPQ	文件：275.33 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE Features •FastSwitchingSpeed •Ultra-SmallLeadlessSurfaceMountPackage •ForGeneralPurposeSwitchingApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •TheBAS16LPQissuitableforautomotiveapplicationsrequi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS16LPQ-7	文件：275.33 Kbytes Page：5 Pages	Marking：A6；Package：X1-DFN1006-2；SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE Features •FastSwitchingSpeed •Ultra-SmallLeadlessSurfaceMountPackage •ForGeneralPurposeSwitchingApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •TheBAS16LPQissuitableforautomotiveapplicationsrequi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS16LPQ-7B	文件：275.33 Kbytes Page：5 Pages	Marking：A6；Package：X1-DFN1006-2；SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE Features •FastSwitchingSpeed •Ultra-SmallLeadlessSurfaceMountPackage •ForGeneralPurposeSwitchingApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •TheBAS16LPQissuitableforautomotiveapplicationsrequi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS16L-Q	文件：191.96 Kbytes Page：10 Pages	Marking：S2；Package：DFN1006-2；High-speed switching diode 1.Generaldescription High-speedswitchingdiode,encapsulatedinaleadlessultrasmallSOD882Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤100V •Repetitivep	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16LS	文件：280.31 Kbytes Page：11 Pages	Marking：M8；Package：SOD882BD；High-speed switching diode Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowleakagecurrent •RepetitivepeakreversevoltageVRRM≤100V •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •Lowcapacitance •ReversevoltageVR≤100V •UltrasmallandleadlessSMDplasticpackage	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16LS-Q	文件：227.95 Kbytes Page：11 Pages	Marking：M8；Package：DFN1006BD-2；High-speed switching diode 1.Generaldescription High-speedswitchingdiode,encapsulatedinaleadlessultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowleakagecurrent •Repetitivepeakrever	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16LT1	文件：50.59 Kbytes Page：2 Pages	Switching Diode SwitchingDiode	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BAS16LT1	文件：79.31 Kbytes Page：4 Pages	CASE 31808, STYLE 8 SOT23 (TO236AB) SwitchingDiode	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BAS16LT1	文件：45.32 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode SwitchingDiode Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS16LT1	文件：2.24617 Mbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:225mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	KISEMICONDUCTOR Kwang Myoung I.S. CO.,LTD	KISEMICONDUCTOR

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详细参数

型号：
BAS1
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
DIODE, HIGHS, 100V, 220MA, SOD882
功能描述：
DIODE, HIGHS, 100V, 220MA, SOD882; Diode
Type：
Ultrafast Recovery; Forward Current
If(AV)：
215mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm
Max：
100V; Forward Voltage VF
Max：
1.25V; Reverse Recovery Time trr
Max：
4ns; Diode Case
Style：
SOD-882 ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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